本技術(shù)涉及mems，特別涉及一種傳感器以及應(yīng)用該傳感器的電子設(shè)備。
背景技術(shù)：
1、mems(micro-electro-mechanical?system，微機(jī)電系統(tǒng))技術(shù)是近年來高速發(fā)展的一項(xiàng)高新技術(shù)，它采用先進(jìn)的半導(dǎo)體制造工藝，實(shí)現(xiàn)傳感器、驅(qū)動器等器件的批量制造，與對應(yīng)的傳統(tǒng)器件相比，mems器件在體積、功耗、重量以及價格方面有十分明顯的優(yōu)勢。
2、隨著科技的高速發(fā)展，電子設(shè)備(例如手機(jī)、耳機(jī)、電腦)的應(yīng)用越來越廣泛。電子設(shè)備對潔凈度要求較高，為保證主板電路清潔，smd后會有清洗要求，而為了達(dá)到完美的清洗效果，往往在水中加入表面活性劑，達(dá)到進(jìn)一步清除有機(jī)化合物的作用。
3、相關(guān)技術(shù)中，電子設(shè)備的主板貼裝上mems器件后，mems器件有透氣孔，清洗時會有水進(jìn)入，表面活性劑起泡后由于超聲震蕩作用會爆破，爆破瞬間會對mems膜/金線產(chǎn)生巨大沖擊力，會造成mems膜破裂、金線斷裂等問題，導(dǎo)致mems器件測試不準(zhǔn)確，甚至失去測試功能，最終影響客戶終端應(yīng)用評估失效。
技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路
1、本實(shí)用新型的主要目的是提供一種傳感器和電子設(shè)備，旨在解決清洗過程中能夠避免出現(xiàn)失效問題，該傳感器能夠有效保護(hù)mems芯片及金線，提高可靠性和產(chǎn)品性能。
2、為實(shí)現(xiàn)上述目的，本實(shí)用新型提出一種傳感器，所述傳感器包括：
3、殼體，所述殼體包括基板和外殼，所述基板和所述外殼圍合形成容腔，所述基板或所述外殼設(shè)有連通所述容腔的聲孔；
4、芯片組件，所述芯片組件設(shè)于所述容腔內(nèi)，并通過第一金線與所述基板電連接，所述芯片組件設(shè)有敏感區(qū)域；
5、封裝層，所述封裝層設(shè)于所述容腔內(nèi)，并包裹所述第一金線，所述封裝層與所述敏感區(qū)域圍合形成感應(yīng)槽；及
6、防護(hù)層，所述防護(hù)層封堵所述感應(yīng)槽的槽口，并與所述敏感區(qū)域相對。
7、在一實(shí)施方式中，所述芯片組件設(shè)于所述基板，所述外殼設(shè)有所述聲孔，所述封裝層填充于所述容腔內(nèi)，所述封裝層包裹所述第一金線和所述芯片組件的周緣，并與所述敏感區(qū)域圍合形成所述感應(yīng)槽；
8、其中，所述封裝層和所述防護(hù)層與所述外殼圍合形成連通所述聲孔的聲腔。
9、在一實(shí)施方式中，所述封裝層形成有支撐臺，所述支撐臺環(huán)繞所述敏感區(qū)域設(shè)置，以圍合形成所述感應(yīng)槽，所述防護(hù)層的周緣與所述支撐臺連接，以封堵所述感應(yīng)槽的槽口，并與所述敏感區(qū)域相對。
10、在一實(shí)施方式中，所述防護(hù)層連接并支撐于所述支撐臺背向所述芯片組件的一側(cè)；
11、且/或，所述防護(hù)層與所述支撐臺之間設(shè)有粘結(jié)層，所述粘結(jié)層由粘結(jié)膠形成。
12、在一實(shí)施方式中，所述防護(hù)層為防水透氣膜；
13、且/或，所述封裝層的材質(zhì)為環(huán)氧樹脂。
14、在一實(shí)施方式中，所述外殼為金屬外殼；
15、且/或，所述外殼與所述基板之間焊接或采用導(dǎo)電膠粘接；
16、且/或，所述基板面向所述容腔的一側(cè)設(shè)有第一焊盤，所述第一金線與所述第一焊盤焊接連接；
17、且/或，所述基板背向所述容腔的一側(cè)設(shè)有第二焊盤，所述第二焊盤用于與外部電路連接。
18、在一實(shí)施方式中，所述芯片組件包括mems芯片和asic芯片，所述asic芯片通過所述第一金線與所述基板電連接，所述mems芯片通過第二金線與所述asic芯片電連接，所述mems芯片設(shè)有所述敏感區(qū)域；
19、其中，所述封裝層包裹所述第一金線和所述第二金線。
20、在一實(shí)施方式中，所述mems芯片和所述asic芯片間隔設(shè)于所述基板，所述mems芯片和所述asic芯片均通過膠層與所述基板連接。
21、在一實(shí)施方式中，所述asic芯片設(shè)于所述基板，并通過膠層與所述基板連接，所述mems芯片堆疊設(shè)于所述asic芯片背向所述基板的一側(cè)，并通過膠層與所述asic芯片連接。
22、本實(shí)用新型還提出一種電子設(shè)備，所述電子設(shè)備包括上述所述的傳感器。
23、本實(shí)用新型技術(shù)方案的傳感器通過將殼體設(shè)置為基板和外殼，利用基板和外殼圍合形成容腔，從而方便利用容腔安裝、固定和保護(hù)芯片組件，且在基板或外殼設(shè)有連通容腔的聲孔，使得外界氣流或聲音順利通過聲孔進(jìn)入容腔，從而方便芯片組件進(jìn)行檢測或感應(yīng)；同時，通過在容腔內(nèi)設(shè)置封裝層和防護(hù)層，利用封裝層包裹所述第一金線，且利用封裝層與芯片組件的敏感區(qū)域圍合形成感應(yīng)槽，并利用防護(hù)層封堵感應(yīng)槽的槽口，并與敏感區(qū)域相對，如此可利用封裝層實(shí)現(xiàn)對第一金線的保護(hù)，且配合防護(hù)層進(jìn)一步保護(hù)芯片組件的敏感區(qū)域，如此在清洗過程中，清洗劑和水通過聲孔進(jìn)入容腔內(nèi)，由于封裝層和防護(hù)層的配合，可有效防止水和氣泡直接接觸芯片組件的敏感區(qū)域，以及在氣泡爆破后導(dǎo)致敏感區(qū)域破裂或形變、金線斷裂等現(xiàn)象，從而實(shí)現(xiàn)保護(hù)芯片組件的敏感區(qū)域和金線，避免性能變差或失效以及影響產(chǎn)品性能，提高可靠性和產(chǎn)品性能。
1.一種傳感器，其特征在于，所述傳感器包括：
2.如權(quán)利要求1所述的傳感器，其特征在于，所述芯片組件設(shè)于所述基板，所述外殼設(shè)有所述聲孔，所述封裝層填充于所述容腔內(nèi)，所述封裝層包裹所述第一金線和所述芯片組件的周緣，并與所述敏感區(qū)域圍合形成所述感應(yīng)槽；
3.如權(quán)利要求2所述的傳感器，其特征在于，所述封裝層形成有支撐臺，所述支撐臺環(huán)繞所述敏感區(qū)域設(shè)置，以圍合形成所述感應(yīng)槽，所述防護(hù)層的周緣與所述支撐臺連接，以封堵所述感應(yīng)槽的槽口，并與所述敏感區(qū)域相對。
4.如權(quán)利要求3所述的傳感器，其特征在于，所述防護(hù)層連接并支撐于所述支撐臺背向所述芯片組件的一側(cè)；
5.如權(quán)利要求1所述的傳感器，其特征在于，所述防護(hù)層為防水透氣膜；
6.如權(quán)利要求1所述的傳感器，其特征在于，所述外殼為金屬外殼；
7.如權(quán)利要求1至6中任一項(xiàng)所述的傳感器，其特征在于，所述芯片組件包括mems芯片和asic芯片，所述asic芯片通過所述第一金線與所述基板電連接，所述mems芯片通過第二金線與所述asic芯片電連接，所述mems芯片設(shè)有所述敏感區(qū)域；
8.如權(quán)利要求7所述的傳感器，其特征在于，所述mems芯片和所述asic芯片間隔設(shè)于所述基板，所述mems芯片和所述asic芯片均通過膠層與所述基板連接。
9.如權(quán)利要求7所述的傳感器，其特征在于，所述asic芯片設(shè)于所述基板，并通過膠層與所述基板連接，所述mems芯片堆疊設(shè)于所述asic芯片背向所述基板的一側(cè)，并通過膠層與所述asic芯片連接。
10.一種電子設(shè)備，其特征在于，所述電子設(shè)備包括如權(quán)利要求1至9中任一項(xiàng)所述的傳感器。