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本申請(qǐng)涉及rram（?resistive?random-access?memory，阻變隨機(jī)存取存儲(chǔ)器，也稱(chēng)為憶阻器）測(cè)試，尤其涉及一種rram的測(cè)試方法、裝置及系統(tǒng)。、現(xiàn)有技術(shù)的憶阻器是一種具有?“記憶”?功能的電阻器件，其阻值會(huì)隨通過(guò)的電流大小和方向發(fā)生改變，且斷電后阻值保持不變。這一...

本發(fā)明涉及一種用于信號(hào)的高速采樣的跟蹤及保持電路。、時(shí)變信號(hào)的采樣通常使用帶有電容器的時(shí)鐘開(kāi)關(guān)來(lái)執(zhí)行，以在開(kāi)關(guān)關(guān)閉時(shí)保持信號(hào)。換句話說(shuō)，當(dāng)開(kāi)關(guān)閉合時(shí)，時(shí)鐘開(kāi)關(guān)的輸出會(huì)跟蹤輸入，而當(dāng)開(kāi)關(guān)斷開(kāi)時(shí)，輸入的最后一個(gè)值被保持在電容器上。在一些無(wú)線電架構(gòu)中，對(duì)帶限信號(hào)進(jìn)行子采樣比對(duì)下混(down-mi...

本公開(kāi)涉及集成電路，更具體地涉及一種基于憶阻器陣列的帶符號(hào)權(quán)重映射方法及裝置。、卷積神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)因其強(qiáng)大的視覺(jué)處理能力，已廣泛應(yīng)用于各類(lèi)視覺(jué)任務(wù)中。然而，其密集的計(jì)算需求對(duì)處理器的算力和能效提出了嚴(yán)峻挑戰(zhàn)。在當(dāng)前的馮·諾依曼架構(gòu)下，處理單元與存儲(chǔ)單元之間的頻繁數(shù)據(jù)搬運(yùn)成為了制約處理器算力和能效...

本發(fā)明涉及固態(tài)硬盤(pán)，特別涉及降低固態(tài)硬盤(pán)異常掉電恢復(fù)時(shí)間的方法、裝置及相關(guān)組件。、隨著存儲(chǔ)技術(shù)的不斷發(fā)展，qlc(quad-levelcell)nand閃存作為一種高密度存儲(chǔ)解決方案，逐漸在固態(tài)硬盤(pán)(ssd)領(lǐng)域得到廣泛應(yīng)用。qlc?nand單元通過(guò)存儲(chǔ)四個(gè)不同級(jí)別的電荷量來(lái)表示四個(gè)不同的...

本公開(kāi)實(shí)施例涉及半導(dǎo)體，特別涉及一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)。、為節(jié)省芯片面積，包含存儲(chǔ)器單元陣列的存儲(chǔ)器芯片和具有包含感測(cè)放大器及字線驅(qū)動(dòng)器的邏輯電路的邏輯芯片分別被制造在兩個(gè)不同的晶片上，采用直接混合鍵合工藝(hybrid?bonding)將兩個(gè)不同的晶片進(jìn)行混合接合。根據(jù)此方法，存儲(chǔ)器單元陣列和邏...

本發(fā)明涉及存儲(chǔ)芯片電路，具體為一種靈敏放大器。、快閃存儲(chǔ)器(f?l?ash?memory)由于具有非易失性，抗震和低功耗的特點(diǎn)，已經(jīng)被廣泛使用，顯然，快速存取和低功耗是對(duì)快閃存儲(chǔ)器的關(guān)鍵要求。特別是隨著便攜式電子設(shè)備市場(chǎng)需求的不斷增加，例如掌上電腦，手機(jī)等，為了降低便攜式設(shè)備功耗，系統(tǒng)工作...

本申請(qǐng)涉及半導(dǎo)體，特別是涉及一種相變存儲(chǔ)器陣列的仿真驗(yàn)證方法及系統(tǒng)。、隨著半導(dǎo)體制造技術(shù)的發(fā)展，作為數(shù)據(jù)存儲(chǔ)的專(zhuān)用芯片，相變存儲(chǔ)器(phasechange?memory，pcm)的數(shù)據(jù)容量飛速增長(zhǎng)，相變存儲(chǔ)器陣列的電路規(guī)模愈發(fā)龐大。、相變存儲(chǔ)器陣列具有如將驅(qū)動(dòng)電路提供的電信號(hào)傳遞至各個(gè)獨(dú)立...

本公開(kāi)實(shí)施例涉及半導(dǎo)體，涉及但不限于一種測(cè)試電路及存儲(chǔ)器。、隨著集成電路的高度集成化，現(xiàn)在掣肘集成電路產(chǎn)業(yè)的就是測(cè)試方法。因?yàn)樵缙诩呻娐返膬?nèi)部模塊不多，邏輯功能單一，工藝相對(duì)簡(jiǎn)單，在測(cè)試機(jī)上實(shí)現(xiàn)功能測(cè)試相對(duì)容易。而如今，測(cè)試成本的快速增長(zhǎng)已經(jīng)達(dá)到生產(chǎn)商無(wú)法承受的地步。隨著對(duì)測(cè)試方法學(xué)的不...

本公開(kāi)涉及半導(dǎo)體，尤其涉及一種熔絲陣列的廣播電路和熔絲陣列的廣播方法。、存儲(chǔ)器裝置可以包括存儲(chǔ)陣列和熔絲陣列，其中，熔絲陣列可以存儲(chǔ)與存儲(chǔ)陣列有關(guān)的修復(fù)信息或者其他操作信息，在存儲(chǔ)器裝置上電后，需要進(jìn)行熔絲廣播，將熔絲陣列中存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)通過(guò)廣播電路傳輸至存儲(chǔ)器裝置的各個(gè)本地寄存器中，然而，由...

本公開(kāi)屬于光磁存儲(chǔ)，特別涉及一種全光磁記錄裝置。、全光磁反轉(zhuǎn)技術(shù)無(wú)需電流和磁場(chǎng)，直接利用超快激光脈沖調(diào)控自旋方向，然而，由于自旋電子全光磁記錄薄膜一般只有幾十納米厚度，導(dǎo)致飛秒泵浦激光大都直接透過(guò)自旋磁記錄薄膜，使得飛秒激光的能量利用率較低。技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路、針對(duì)中的問(wèn)題，本公開(kāi)提出一...

本公開(kāi)涉及存儲(chǔ)裝置及其操作方法。、存儲(chǔ)裝置是可記錄數(shù)據(jù)并且在必要時(shí)讀取數(shù)據(jù)的存儲(chǔ)器裝置。存儲(chǔ)裝置可包括非易失性存儲(chǔ)器（nvm）和易失性存儲(chǔ)器（vm），在非易失性存儲(chǔ)器（nvm）中，即使不供電，存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)也不會(huì)被損壞，在易失性存儲(chǔ)器（vm）中，如果不供電，則存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)被損壞。、同時(shí)，最近隨著...

、存儲(chǔ)器廣泛用于各種電子設(shè)備，諸如蜂窩電話、數(shù)字相機(jī)、個(gè)人數(shù)字助理、醫(yī)療電子器件、移動(dòng)計(jì)算設(shè)備、非移動(dòng)計(jì)算設(shè)備和數(shù)據(jù)服務(wù)器。存儲(chǔ)器可以是非易失性存儲(chǔ)器或易失性存儲(chǔ)器。即使當(dāng)非易失性存儲(chǔ)器未連接至電源(例如，電池)時(shí)，非易失性存儲(chǔ)器也允許存儲(chǔ)和保留信息。、非易失性存儲(chǔ)器的一個(gè)示例是磁阻式隨機(jī)...

本公開(kāi)涉及半導(dǎo)體領(lǐng)域，尤其涉及一種存儲(chǔ)器、位線控制方法和電子設(shè)備。、隨著半導(dǎo)體技術(shù)的發(fā)展，半導(dǎo)體存儲(chǔ)器被廣泛地應(yīng)用于電子裝置中。動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(dynamic?random?access?memory，dram)屬于一種揮發(fā)性存儲(chǔ)器，動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器因?yàn)榇嫒∷俣瓤?，常用?lái)作為高速緩沖...

本公開(kāi)涉及非易失性存儲(chǔ)，并且更具體地，涉及一種用于電阻式隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(resistive?random?access?memory，rram)設(shè)備的帶隙參考電壓源以及包含這種帶隙參考電壓源的rram設(shè)備。、隨著半導(dǎo)體工藝節(jié)點(diǎn)的飛速發(fā)展，電子設(shè)備變得越來(lái)越小型化，出現(xiàn)了智能手機(jī)、諸如智能手...

本公開(kāi)的實(shí)施例涉及集成電路技術(shù)，更具體地，涉及一種半導(dǎo)體器件和半導(dǎo)體器件的操作方法。、近來(lái)，隨著電子設(shè)備的小型化、低功耗、高性能、多樣化等，需要能夠在諸如計(jì)算機(jī)和便攜式通信設(shè)備的多種電子設(shè)備中存儲(chǔ)信息的半導(dǎo)體器件。半導(dǎo)體器件可以廣泛地分為易失性存儲(chǔ)器件和非易失性存儲(chǔ)器件。易失性存儲(chǔ)器件可以...

示例實(shí)施例總體涉及半導(dǎo)體集成電路，并且更具體地，涉及用于改變存儲(chǔ)設(shè)備的形狀因子的擴(kuò)展存儲(chǔ)模塊、以及包括該擴(kuò)展存儲(chǔ)模塊的存儲(chǔ)設(shè)備，例如固態(tài)硬盤(pán)器（ssd）設(shè)備。、某些類(lèi)型的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)設(shè)備可以包括一個(gè)或多個(gè)半導(dǎo)體存儲(chǔ)器設(shè)備。此類(lèi)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)設(shè)備的示例包括固態(tài)硬盤(pán)器（ssd）。這些類(lèi)型的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)設(shè)備可...

本申請(qǐng)是有關(guān)于一種一種用于浮點(diǎn)數(shù)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器內(nèi)運(yùn)算的存內(nèi)運(yùn)算裝置及其指數(shù)存儲(chǔ)運(yùn)算模塊與尾數(shù)存儲(chǔ)運(yùn)算模塊。、存儲(chǔ)器內(nèi)運(yùn)算技術(shù)(computing-in-memory，cim)被視為解決存儲(chǔ)器墻(memorywall)的有效技術(shù)之一，其利用在存儲(chǔ)器內(nèi)的運(yùn)算來(lái)減少數(shù)據(jù)搬移的次數(shù)，可以大幅提升運(yùn)算速...

本申請(qǐng)涉及存儲(chǔ)檢測(cè)領(lǐng)域，特別是涉及一種存儲(chǔ)裝置檢測(cè)方法、測(cè)試主機(jī)、存儲(chǔ)裝置以及測(cè)試系統(tǒng)。、在存儲(chǔ)裝置的研發(fā)過(guò)程中，當(dāng)出現(xiàn)讀寫(xiě)擦操作失敗時(shí)，由于通路太長(zhǎng)，不確定的因素過(guò)多，不能及時(shí)的定位出問(wèn)題所在。如果有時(shí)僅是nand本身的問(wèn)題的話，花費(fèi)時(shí)間去定位其他位置是否出現(xiàn)異常就會(huì)增加時(shí)間成本。而通常...

本發(fā)明涉及錄音，具體為一種減少雜音的錄音設(shè)備。、錄音設(shè)備是用于捕捉和記錄聲音的裝置，它們廣泛應(yīng)用于會(huì)議記錄、音樂(lè)制作、播客制作、有聲書(shū)錄制、采訪等多種場(chǎng)景。、現(xiàn)有的錄音設(shè)備為了便捷大多數(shù)都采用攜帶式的，而且現(xiàn)有的錄音設(shè)備都具有一定的減少雜音效果，但是便攜式的錄音設(shè)備往往會(huì)放在口袋，從而收音...

本發(fā)明涉及soc存儲(chǔ)器，尤其涉及一種評(píng)估soc中flash可靠性的測(cè)試方法。、非易失性存儲(chǔ)單元flash作為soc的核心數(shù)據(jù)存儲(chǔ)載體，其存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)直接影響芯片中模擬單元的性能、系統(tǒng)配置參數(shù)的加載以及程序的正常啟動(dòng)等關(guān)鍵操作。因此，flash存儲(chǔ)器的可靠性是整體芯片可靠性評(píng)估的基石，直接關(guān)系...