本發(fā)明涉及soc存儲(chǔ)器，尤其涉及一種評估soc中flash可靠性的測試方法。
背景技術(shù)：
1、非易失性存儲(chǔ)單元flash作為soc的核心數(shù)據(jù)存儲(chǔ)載體，其存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)直接影響芯片中模擬單元的性能、系統(tǒng)配置參數(shù)的加載以及程序的正常啟動(dòng)等關(guān)鍵操作。因此，flash存儲(chǔ)器的可靠性是整體芯片可靠性評估的基石，直接關(guān)系到芯片的功能完整性。
2、然而，由于工藝制造偏差、芯片長期在高溫環(huán)境下工作或者flash經(jīng)過多次擦寫等原因，flash存儲(chǔ)單元在兩個(gè)狀態(tài)(“1”態(tài)和“0”態(tài))之間的轉(zhuǎn)換變慢，產(chǎn)生延時(shí)故障，出現(xiàn)數(shù)據(jù)丟失或錯(cuò)誤、功能失效、壽命縮短等后果，對芯片本身及其終端應(yīng)用產(chǎn)生嚴(yán)重影響。例如flash存儲(chǔ)單元故障導(dǎo)致手機(jī)/平板無法啟動(dòng)或頻繁啟動(dòng)。
3、傳統(tǒng)的可靠性驗(yàn)證依靠機(jī)臺(tái)測試或老化測試，但這些測試的擦寫時(shí)間固定，無法模擬工藝偏差或環(huán)境變化導(dǎo)致的動(dòng)態(tài)故障，且測試周期長，成本高。因此，對于fabless運(yùn)作模式而言，需要一種低成本、高靈活性的測試方法，通過動(dòng)態(tài)調(diào)節(jié)擦寫時(shí)間參數(shù)，實(shí)現(xiàn)對flash存儲(chǔ)器可靠性的精確評估。
4、現(xiàn)有專利cn201410589708.5“一種閃存可靠性的篩選測試方法”、cn202310182421.x“一種面向長時(shí)間存儲(chǔ)的閃存可靠性測試、預(yù)測方法”、cn202211339013.2“一種閃存的可靠性測試方法及可靠性測試裝置”，在上述專利中，其測試過程的擦寫時(shí)間固定，均未涉及到通過動(dòng)態(tài)調(diào)節(jié)擦寫時(shí)間參數(shù)，來進(jìn)行相關(guān)測試的技術(shù)方案。
技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路
1、本發(fā)明的目的在于提出一種評估soc中flash可靠性的測試方法，通過動(dòng)態(tài)調(diào)節(jié)擦、寫、讀時(shí)間參數(shù)，在測試資源有限的條件下，精確測定flash存儲(chǔ)器的可靠性及擦、寫、讀的邊界數(shù)據(jù)，實(shí)現(xiàn)對flash存儲(chǔ)器可靠性的精確評估。
2、本發(fā)明實(shí)現(xiàn)其發(fā)明目的所采用的技術(shù)方案是，一種評估soc中flash可靠性的測試方法，包含以下步驟：
3、(1)將外部時(shí)鐘接入soc芯片，當(dāng)作對flash存儲(chǔ)單元進(jìn)行操作的同步時(shí)鐘，所述操作包括擦除、寫入、讀取；
4、(2)設(shè)定所述操作時(shí)間的初始值，具體而言，當(dāng)分別進(jìn)行測試擦除邊界時(shí)間、測試寫入邊界時(shí)間、測試讀取邊界時(shí)間時(shí)，需分別設(shè)定擦除、寫入、讀取時(shí)間的初始值；
5、(3)對flash存儲(chǔ)單元的至少一個(gè)塊進(jìn)行一次操作；
6、(4)讀取所述至少一個(gè)塊上的數(shù)據(jù)；
7、(5)判斷讀取出的數(shù)據(jù)是否滿足預(yù)設(shè)條件，若不滿足，則調(diào)整操作時(shí)間，轉(zhuǎn)入步驟(3)，若滿足，則獲得本次測試的flash塊的邊界時(shí)間。
8、優(yōu)選地，步驟(2)中設(shè)定的擦除、寫入、讀取操作時(shí)間的初始值分別小于工藝廠對flash存儲(chǔ)單元建議的擦除、寫入、讀取時(shí)間。
9、作為進(jìn)一步的一種優(yōu)選方案，當(dāng)測試擦除邊界時(shí)間時(shí)，步驟(3)中所述進(jìn)行一次操作具體為擦除數(shù)據(jù)，步驟(4)中讀取數(shù)據(jù)具體為正常讀取數(shù)據(jù)，即按照工藝廠對flash存儲(chǔ)單元的建議讀取時(shí)間進(jìn)行讀取，步驟(5)中的所述預(yù)設(shè)條件具體為全為“1”，所述調(diào)整操作時(shí)間為增加擦除時(shí)間。
10、作為進(jìn)一步的另一種優(yōu)選方案，當(dāng)測試寫入邊界時(shí)間時(shí)，步驟(3)中所述進(jìn)行一次操作具體為寫入目標(biāo)值，步驟(4)中讀取數(shù)據(jù)具體為正常讀取數(shù)據(jù)，即按照工藝廠對flash存儲(chǔ)單元的建議讀取時(shí)間進(jìn)行讀取，步驟(5)中的所述預(yù)設(shè)條件具體為等于寫入的目標(biāo)值，所述調(diào)整操作時(shí)間為增加寫入時(shí)間。
11、作為進(jìn)一步的再一種優(yōu)選方案，當(dāng)測試讀取邊界時(shí)間時(shí)，步驟(3)中所述進(jìn)行一次操作具體為寫入目標(biāo)值，步驟(4)中讀取數(shù)據(jù)具體為按設(shè)定讀取時(shí)間讀取數(shù)據(jù)，步驟(5)中的所述預(yù)設(shè)條件具體為等于寫入的目標(biāo)值，所述調(diào)整操作時(shí)間為增加讀取時(shí)間。
12、本發(fā)明的有益效果為：
13、本發(fā)明通過動(dòng)態(tài)調(diào)節(jié)擦除、寫入、讀取時(shí)間參數(shù)，能在測試資源有限的條件下，低成本地實(shí)現(xiàn)精確測定flash存儲(chǔ)器擦除、寫入、讀取的邊界時(shí)間數(shù)據(jù)，從而幫助評估芯片產(chǎn)品內(nèi)部重要數(shù)據(jù)的存放周期，實(shí)現(xiàn)對flash存儲(chǔ)器可靠性的精確評估，且為工藝改進(jìn)、設(shè)計(jì)加固以及可靠性模型構(gòu)建提供直接依據(jù)。
1.一種評估soc中flash可靠性的測試方法，其特征在于，包含以下步驟：
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種評估soc中flash可靠性的測試方法，其特征在于：步驟(2)中設(shè)定的擦除、寫入、讀取操作時(shí)間的初始值分別小于工藝廠對flash存儲(chǔ)單元建議的擦除、寫入、讀取時(shí)間。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種評估soc中flash可靠性的測試方法，其特征在于：當(dāng)測試擦除邊界時(shí)間時(shí)，步驟(3)中所述進(jìn)行一次操作具體為擦除數(shù)據(jù)，步驟(4)中讀取數(shù)據(jù)具體為正常讀取數(shù)據(jù)，步驟(5)中的所述預(yù)設(shè)條件具體為全為“1”，所述調(diào)整操作時(shí)間為增加擦除時(shí)間。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種評估soc中flash可靠性的測試方法，其特征在于：當(dāng)測試寫入邊界時(shí)間時(shí)，步驟(3)中所述進(jìn)行一次操作具體為寫入目標(biāo)值，步驟(4)中讀取數(shù)據(jù)具體為正常讀取數(shù)據(jù)，步驟(5)中的所述預(yù)設(shè)條件具體為等于寫入的目標(biāo)值，所述調(diào)整操作時(shí)間為增加寫入時(shí)間。
5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種評估soc中flash可靠性的測試方法，其特征在于：當(dāng)測試讀取邊界時(shí)間時(shí)，步驟(3)中所述進(jìn)行一次操作具體為寫入目標(biāo)值，步驟(4)中讀取數(shù)據(jù)具體為按設(shè)定讀取時(shí)間讀取數(shù)據(jù)，步驟(5)中的所述預(yù)設(shè)條件具體為等于寫入的目標(biāo)值，所述調(diào)整操作時(shí)間為增加讀取時(shí)間。