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具有納米步長的精密Z臺的制作方法

文檔序號:41873397發(fā)布日期:2025-05-09 18:47閱讀:23來源:國知局

本公開內(nèi)容的各實施方式總體涉及基板處理和計量裝置。更特別地,本公開內(nèi)容的各實施方式涉及基板處理和計量裝置內(nèi)的z軸臺。


背景技術(shù):

1、在太陽能面板、平板顯示器或其他半導(dǎo)體器件的制造中,采用許多工藝來在基板(諸如半導(dǎo)體基板、太陽能面板基板和液晶顯示器(lcd)和/或有機發(fā)光二極管(oled)基板)上沉積薄膜,以在基板上形成電子器件。沉積一般通過將前驅(qū)物氣體引入到具有設(shè)置在溫度受控基板支撐件上的基板的腔室中來完成。前驅(qū)物氣體典型地被指引通過設(shè)置在基板支撐件上方的氣體分配組件。腔室中的前驅(qū)物氣體通過應(yīng)用電感耦合到前驅(qū)物氣體的單個射頻(rf)天線或rf天線陣列來被激勵(例如,激發(fā))成等離子體,以形成等離子體。所激發(fā)的氣體進行反應(yīng)以在定位在溫度受控基板支撐件上的基板的表面上形成材料層。

2、在薄膜應(yīng)用中薄膜的沉積的均勻性和準確度是關(guān)鍵的。在處理和計量期間以納米尺度距離移動基板支撐件的能力是執(zhí)行這些功能所需的。當前技術(shù)可提供以這些尺度進行移動的能力,但往往具有較小行程距離(即,在最高點與較低點之間在z軸方向上的距離)。典型地,這是由于利用壓電晶體來沿z軸移動基板,雖然非常精確,但行程距離有限。同時,具有用于較大行程距離的能力的z軸臺就納米尺度移動而言不太精確。

3、因此,本領(lǐng)域中需要用于以改進的步長精確度增加z軸臺的行程距離的系統(tǒng)和裝置。


技術(shù)實現(xiàn)思路

1、本公開內(nèi)容的各實施方式總體涉及基板處理和計量裝置。更特別地,本公開內(nèi)容的各實施方式涉及基板處理和計量裝置內(nèi)的z軸臺。

2、在一個實施方式中,公開了一種用于支撐基板的臺。所述臺包括:旋轉(zhuǎn)基部,所述旋轉(zhuǎn)基部具有平整度為1nm或更小的頂表面;馬達;螺桿,所述螺桿設(shè)置在旋轉(zhuǎn)基部上;螺母,所述螺母螺紋連接到螺桿;一個或多個穩(wěn)定臂;以及基板支撐件,所述基板支撐件設(shè)置在螺母上。旋轉(zhuǎn)基部的頂表面的平整度是旋轉(zhuǎn)基部的頂表面上的最大點和旋轉(zhuǎn)基部的頂表面上的最小點之間的差。螺桿具有平整度為1nm或更小的底表面。螺桿的平整度是螺桿的底表面上的最大點和底表面上的最小點之間的差。旋轉(zhuǎn)基部使螺桿旋轉(zhuǎn)。馬達使旋轉(zhuǎn)基部旋轉(zhuǎn)。

3、在另一個實施方式中,公開了一種臺的存儲指令的控制器。指令在由處理器執(zhí)行時致使臺沿z軸移動設(shè)置在臺上的基板。臺進一步包括多個傳感器以用于:測量基板沿z軸的位置;調(diào)整馬達速度以沿z軸定位基板;在處理和測量期間控制臺的溫度;以及控制由臺產(chǎn)生的電場。

4、在另一個實施方式中,公開了一種適合于半導(dǎo)體處理的處理系統(tǒng)。所述處理系統(tǒng)包括:旋轉(zhuǎn)基部,所述旋轉(zhuǎn)基部具有平整度為1nm或更小的頂表面;馬達;螺桿,所述螺桿設(shè)置在旋轉(zhuǎn)基部上;螺母,所述螺母螺紋連接到螺桿;一個或多個穩(wěn)定臂;以及基板支撐件,所述基板支撐件設(shè)置在螺母上。平整度是旋轉(zhuǎn)基部的頂表面上的最大點和頂表面上的最小點之間的差。馬達使旋轉(zhuǎn)基部旋轉(zhuǎn)。螺桿具有平整度為1nm或更小的底表面。平整度是螺桿的底表面上的最大點和底表面上的最小點之間的差。旋轉(zhuǎn)基部使螺桿旋轉(zhuǎn)。



技術(shù)特征:

1.一種用于支撐基板的臺,所述臺包括:

2.如權(quán)利要求1所述的臺,其中在螺紋連接的螺桿和螺母之間的所述螺紋連接具有在100nm與200nm之間的直徑、在0.25mm與0.75mm之間的螺距和在1nm與100nm之間的步長。

3.如權(quán)利要求1所述的臺,其中在所述螺桿與所述螺母之間的所述螺紋連接具有約15nm至約50nm的行程。

4.如權(quán)利要求1所述的臺,其中所述螺母平行于所述旋轉(zhuǎn)基部,偏差在+/-1nm內(nèi)。

5.如權(quán)利要求1所述的臺,其中所述穩(wěn)定臂使用電場來將所述螺桿和所述螺母定位在x軸和y軸上。

6.如權(quán)利要求5所述的臺,其中所述穩(wěn)定臂的所述電場是使用多個音圈馬達產(chǎn)生的。

7.如權(quán)利要求1所述的臺,其中所述螺桿和所述旋轉(zhuǎn)基部使用水冷研磨工藝來制造成1nm或更小的平整度。

8.如權(quán)利要求1所述的臺,進一步包括線性編碼器。

9.如權(quán)利要求1所述的臺,其中所述螺桿和所述旋轉(zhuǎn)基部包括多個冷卻通道。

10.一種臺的存儲指令的控制器,所述指令在由處理器執(zhí)行時致使所述臺:

11.如權(quán)利要求10所述的控制器,其中所述臺包括:

12.如權(quán)利要求11所述的臺,其中螺紋連接的螺桿和螺母之間的螺紋連接具有在100nm與200nm之間的直徑、在0.25mm與0.75mm之間的螺距和在1nm與100nm之間的步長。

13.如權(quán)利要求11所述的臺,其中在所述螺桿與所述螺母之間的所述螺紋連接具有約15nm至約50nm的行程。

14.如權(quán)利要求11所述的臺,其中所述螺母平行于所述旋轉(zhuǎn)基部,偏差在+/-1nm內(nèi)。

15.如權(quán)利要求11所述的臺,其中所述穩(wěn)定臂使用電場來將所述螺桿和所述螺母定位在x軸和y軸上。

16.如權(quán)利要求15所述的臺,其中所述穩(wěn)定臂的所述電場是使用多個音圈馬達產(chǎn)生的。

17.如權(quán)利要求11所述的臺,其中所述螺桿和所述旋轉(zhuǎn)基部使用水冷研磨工藝來制造成1nm或更小的平整度。

18.如權(quán)利要求11所述的臺,所述臺進一步包括線性編碼器。

19.如權(quán)利要求11所述的臺,其中所述螺桿和所述旋轉(zhuǎn)基部包括多個冷卻通道。

20.一種半導(dǎo)體處理系統(tǒng),所述半導(dǎo)體處理系統(tǒng)包括:


技術(shù)總結(jié)
本公開內(nèi)容涉及一種用于支撐基板的臺。所述臺包括:旋轉(zhuǎn)基部,所述旋轉(zhuǎn)基部具有旋轉(zhuǎn)基部平整度為1nm或更小的頂表面;馬達;螺桿,所述螺桿設(shè)置在旋轉(zhuǎn)基部上;螺母,所述螺母螺紋連接到螺桿;一個或多個穩(wěn)定臂;以及基板支撐件,所述基板支撐件設(shè)置在螺母上。旋轉(zhuǎn)基部的頂表面的旋轉(zhuǎn)基部平整度是旋轉(zhuǎn)基部的頂表面上的最大點和最小點之間的差。螺桿具有螺桿平整度為1nm或更小的底表面。螺桿的平整度是螺桿的底表面上的最大點和最小點之間的差。馬達使旋轉(zhuǎn)基部和螺桿旋轉(zhuǎn)。

技術(shù)研發(fā)人員:B·斯通斯
受保護的技術(shù)使用者:應(yīng)用材料公司
技術(shù)研發(fā)日:
技術(shù)公布日:2025/5/8
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