本申請的實施例涉及半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其形成方法。
背景技術(shù)：
1、微機電系統(tǒng)(mems)是一種在集成芯片上集成小型化機械和機電元件的技術(shù)。mems器件通常使用微制造技術(shù)制造。近年來，mems器件得到了廣泛的應(yīng)用。例如，mems器件存在于手持設(shè)備(如加速計、陀螺儀和數(shù)字羅盤)、壓力傳感器(如碰撞傳感器)、微流體元件(如閥和泵)、光學(xué)開關(guān)(如鏡子)等中。
技術(shù)實現(xiàn)思路
1、根據(jù)本申請實施例的一個方面，提供了一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，包括：懸臂，具有位于襯底上面并接合到襯底的第一端，還具有與第一端相對且位于致動器腔上面的第二端；壓電致動器，位于懸臂上；以及閥葉片，接合到懸臂的第二端，并且進一步位于與致動器腔橫向相鄰的閥腔上面；其中，懸臂在第二端處具有彎曲輪廓，彎曲輪廓在橫向于襯底的頂面的方向上從第一端偏移。
2、根據(jù)本申請實施例的另一個方面，提供了一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，包括：懸臂，具有位于襯底上面并接合到襯底的第一端，并且還具有與第一端相對且位于致動器腔上面的第二端；壓電致動器，位于懸臂上；以及閥葉片，位于懸臂的第二端上面并接合到懸臂的第二端，其中，閥葉片的頂面相對于襯底的頂面從懸臂的第二端正上方的位置向上傾斜。
3、根據(jù)本申請實施例的又一個方面，提供了一種形成半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的方法，包括：提供位于襯底上面并與襯底隔開的半導(dǎo)體層；在半導(dǎo)體層上方沉積器件介電層；在器件介電層上方形成壓電致動器；對半導(dǎo)體層和器件介電層進行圖案化，以界定位于壓電致動器下方的懸臂；將閥葉片接合到懸臂；圖案化襯底以在懸臂處形成致動器腔，其中，懸臂在完成致動器腔的形成后具有平面輪廓；以及釋放懸臂，其中，懸臂在釋放期間從平面輪廓過渡到彎曲輪廓。
1.一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，包括：
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其中，所述懸臂具有突出至所述致動器腔上方的線形頂部幾何形狀，并且其中，所述懸臂從所述第一端向下彎曲至所述第二端。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其中，所述壓電致動器被配置為響應(yīng)于致動而使所述懸臂向上彎曲。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，還包括：
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其中，所述壓電致動器包括底部電極、位于所述底部電極上面的壓電層和位于所述壓電層上面的頂部電極，其中，所述底部電極和所述頂部電極具有拉伸應(yīng)力，并且壓電層具有抵消并超過所述拉伸應(yīng)力的壓縮應(yīng)力。
6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，還包括：
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其中，所述閥葉片被配置為響應(yīng)于所述壓電致動器的致動而關(guān)閉所述閥腔。
8.一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，包括：
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其中，閥腔延伸穿過所述襯底，與所述致動器腔橫向間隔開，其中，所述閥葉片具有第一突起和第二突起，其中，所述第一突起在所述閥腔的第一側(cè)位于所述懸臂的所述第二端上面并接合到所述懸臂的所述第二端，并且其中，所述第二突起位于所述閥腔的與所述第一側(cè)相對的第二側(cè)。
10.一種形成半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的方法，包括：