本公開的實施例涉及集成電路技術(shù)，更具體地，涉及一種半導(dǎo)體器件和半導(dǎo)體器件的操作方法。
背景技術(shù)：
1、近來，隨著電子設(shè)備的小型化、低功耗、高性能、多樣化等，需要能夠在諸如計算機(jī)和便攜式通信設(shè)備的多種電子設(shè)備中存儲信息的半導(dǎo)體器件。半導(dǎo)體器件可以廣泛地分為易失性存儲器件和非易失性存儲器件。易失性存儲器件可以僅在供電時保留數(shù)據(jù)，而非易失性存儲器件即使在不供電時也可以保留數(shù)據(jù)。
2、代表性的非易失性存儲器件是nand型存儲器以及當(dāng)前正在開發(fā)的下一代存儲器，該下一代存儲器包括鐵電ram（fram）、磁性ram（mram）、相變ram（pram）、聚合物ram（poram）、電阻ram（reram）等。
技術(shù)實現(xiàn)思路
1、在實施例中，一種半導(dǎo)體器件可以包括：存儲單元陣列，該存儲單元陣列包括布置在多條字線與多條位線相交的位置處的多個存儲單元；行解碼器，其被配置為驅(qū)動多條字線；以及列解碼器，其被配置為驅(qū)動多條位線，其中，多個存儲單元中的每一個根據(jù)對其執(zhí)行的正常寫入操作而具有置位狀態(tài)或復(fù)位狀態(tài)，多個存儲單元包括在存儲單元陣列的特定區(qū)域中的第一存儲單元，以及行解碼器和列解碼器控制耦接到第一存儲單元中的對應(yīng)的第一存儲單元的位線和字線，以增大對應(yīng)的第一存儲單元的置位狀態(tài)和復(fù)位狀態(tài)之間的裕度（margin）。
2、在實施例中，一種半導(dǎo)體器件可以包括：控制電路，其被配置為基于命令信號、地址信號和數(shù)據(jù)信號生成電流方向控制信號、行地址信號和列地址信號；電流方向控制電路，其被配置為基于電流方向控制信號而向行電壓線和列電壓線中的一個電壓線提供正偏置電壓，以及向另一個電壓線提供負(fù)偏置電壓，正偏置電壓是第一正偏置電壓、第二正偏置電壓和第三正偏置電壓中的一個，負(fù)偏置電壓是第一負(fù)偏置電壓、第二負(fù)偏置電壓和第三負(fù)偏置電壓中的與正偏置電壓相對應(yīng)的一個；存儲單元陣列，包括布置在多條字線與多條位線相交的位置處的多個存儲單元；行解碼器，其被配置為基于行地址信號從多條字線中選擇至少一條字線，以及將選定字線驅(qū)動到行電壓線的電壓電平；以及列解碼器，其被配置為基于列地址信號從多條位線中選擇至少一條位線，以及將選定位線驅(qū)動到列電壓線的電壓電平。
3、在實施例中，一種半導(dǎo)體器件的操作方法可以包括：執(zhí)行正常寫入操作以使存儲單元具有置位狀態(tài)或復(fù)位狀態(tài)；確定存儲單元中存儲的數(shù)據(jù)的所需可靠性；響應(yīng)于該確定，增大存儲單元的閾值電壓電平；以及根據(jù)存儲單元是具有置位狀態(tài)還是復(fù)位狀態(tài)來減小存儲單元的增大的閾值電壓電平。
1.一種半導(dǎo)體器件，包括：
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，還包括：
3.?根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體器件，其中，在執(zhí)行所述正常寫入操作之后，所述控制電路控制所述行解碼器和所述列解碼器驅(qū)動與所述特定區(qū)域中的所述第一存儲單元中的所述對應(yīng)的第一存儲單元耦接的所述位線和所述字線。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述控制電路控制所述行解碼器和所述列解碼器在設(shè)定的時間間隔內(nèi)驅(qū)動所述位線和所述字線，以將第三電壓差施加到所述第一存儲單元中的所述對應(yīng)的第一存儲單元，在所述設(shè)定的時間間隔內(nèi)施加的所述第三電壓差小于在所述正常寫入操作期間施加的第一電壓差，以及
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的半導(dǎo)體器件，其中，當(dāng)所述控制電路在所述設(shè)定的時間間隔之后還控制所述行解碼器和所述列解碼器驅(qū)動所述位線和所述字線以施加所述第二電壓差時，所述第二電壓差大于所述第三電壓差并且小于所述第一電壓差，以及所述位線被驅(qū)動到比所述字線的電壓電平高的電壓電平。
6.一種半導(dǎo)體器件，包括：
7.?根據(jù)權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)體器件，其中，當(dāng)所述命令信號是寫入命令時，所述控制電路基于所述地址信號和所述數(shù)據(jù)信號生成所述電流方向控制信號。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述第二正偏置電壓的電平低于所述第一正偏置電壓的電平，并且高于所述第三正偏置電壓的電平，以及
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體器件，其中，當(dāng)所述數(shù)據(jù)信號指示置位數(shù)據(jù)時，所述控制電路生成所述電流方向控制信號，以向所述列電壓線提供所述第一正偏置電壓以及向所述行電壓線提供所述第一負(fù)偏置電壓，以及
10.?根據(jù)權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述多個存儲單元包括第一存儲單元和第二存儲單元，每個第一存儲單元具有置位狀態(tài)，每個第二存儲單元具有復(fù)位狀態(tài)，
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述第三正偏置電壓和所述第三負(fù)偏置電壓之間的所述電平差處于所述第一存儲單元的所述閾值電壓分布中的所述最小閾值電壓的所述電平的約50%至98%的范圍內(nèi)，以及
12.根據(jù)權(quán)利要求10所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述控制電路基于所述地址信號來確定由所述數(shù)據(jù)信號指示的數(shù)據(jù)被存儲的位置，并且當(dāng)所確定的位置處于特定區(qū)域中時，所述控制電路生成所述電流方向控制信號以在設(shè)定的時間間隔內(nèi)施加所述第三正偏置電壓和所述第三負(fù)偏置電壓。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述存儲單元陣列包括用于存儲需要可靠性的數(shù)據(jù)的所述特定區(qū)域。
14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述特定區(qū)域存儲：包括固件或根數(shù)據(jù)或兩者的所述數(shù)據(jù)。
15.根據(jù)權(quán)利要求12所述的半導(dǎo)體器件，其中，在施加所述第三正偏置電壓和所述第三負(fù)偏置電壓達(dá)所述設(shè)定的時間間隔之后，所述控制電路生成所述電流方向控制信號，以將所述第二正偏置電壓施加到所述列電壓線以及將所述第二負(fù)偏置電壓施加到所述行電壓線。
16.一種半導(dǎo)體器件的操作方法，所述操作方法包括：
17.根據(jù)權(quán)利要求16所述的操作方法，其中，執(zhí)行所述正常寫入操作包括：
18.根據(jù)權(quán)利要求17所述的操作方法，其中，執(zhí)行所述正常寫入操作還包括：
19.根據(jù)權(quán)利要求18所述的操作方法，其中，確定數(shù)據(jù)的所述所需可靠性包括：
20.根據(jù)權(quán)利要求19所述的操作方法，其中，所述特定區(qū)域存儲：包括固件或根數(shù)據(jù)或兩者的所述數(shù)據(jù)。
21.根據(jù)權(quán)利要求19所述的操作方法，其中，增大所述存儲單元的所述閾值電壓電平是在所述存儲單元的所述位置處于所述特定區(qū)域中時執(zhí)行的。
22.根據(jù)權(quán)利要求21所述的操作方法，其中，當(dāng)所述存儲單元的所述位置處于除所述特定區(qū)域之外的區(qū)域中時，跳過增大所述存儲單元的所述閾值電壓電平。
23.?根據(jù)權(quán)利要求18所述的操作方法，其中，增大所述存儲單元的所述閾值電壓電平包括：
24.?根據(jù)權(quán)利要求23所述的操作方法，其中，減小所述存儲單元的所述增大的閾值電壓電平包括：
25.根據(jù)權(quán)利要求24所述的操作方法，其中，所述第二正偏置電壓的電平低于所述第一正偏置電壓的電平，并且高于所述第三正偏置電壓的電平，以及
26.?根據(jù)權(quán)利要求25所述的操作方法，其中，所述半導(dǎo)體器件的多個存儲單元包括第一存儲單元和第二存儲單元，以及所述正常寫入操作被執(zhí)行，以使所述第一存儲單元中的每一個具有所述置位狀態(tài)以及使所述第二存儲單元中的每一個具有所述復(fù)位狀態(tài)，
27.根據(jù)權(quán)利要求26所述的操作方法，其中，所述第三正偏置電壓與所述第三負(fù)偏置電壓之間的所述電平差處于所述第一存儲單元的所述閾值電壓分布中的所述最小閾值電壓的所述電平的約50%至98%的范圍內(nèi)，以及