背景技術(shù)：
1、半導(dǎo)體設(shè)備制造處理可以涉及許多關(guān)于材料沉積、圖案化和去除的步驟，從而在襯底上形成集成電路。例如，在圖案化處理中制造小特征尺寸會涉及膜的沉積和蝕刻，從而形成用于界定特征位置的間隔件。
技術(shù)實現(xiàn)思路
1、提供本
技術(shù)實現(xiàn)要素：
，以利用簡化的形式來介紹概念的選擇，其將在以下的具體實施方式中進(jìn)一步描述。本發(fā)明內(nèi)容不意圖識別所要求保護(hù)的主題的關(guān)鍵特征或基本特征，也不意圖用于限制所要求保護(hù)的主題的范圍。此外，所要求保護(hù)的主題不限于解決本公開內(nèi)容的任何部分中所提到的任何或所有缺點的實現(xiàn)方案。
2、一個示例提供了一種形成圖案化結(jié)構(gòu)的方法。該方法包括執(zhí)行一個或更多分層膜沉積循環(huán)，以形成包括金屬氧化物的分層膜。該一個或更多分層膜沉積循環(huán)中的分層膜沉積循環(huán)包括金屬氧化物沉積子循環(huán)。該金屬氧化物沉積子循環(huán)包括將該襯底暴露于含金屬前體，以及將吸附于該襯底的含金屬前體氧化。該分層膜沉積循環(huán)還包括硅氧化物沉積子循環(huán)。該硅氧化物沉積循環(huán)包括將襯底暴露于含硅前體，以及將吸附于該襯底的該含硅前體氧化。該方法還包括蝕刻該分層膜的一個或更多區(qū)域以形成該圖案化結(jié)構(gòu)。
3、在一些這樣的示例中，該方法包括執(zhí)行多個分層膜沉積循環(huán)。
4、在一些這樣的示例中，該一個或更多分層膜沉積循環(huán)中的該分層膜沉積循環(huán)替代地或額外地包括比金屬氧化物沉積子循環(huán)的數(shù)量更多的硅氧化物沉積子循環(huán)。
5、在一些這樣的示例中，該一個或更多分層膜沉積循環(huán)中的該分層膜沉積循環(huán)替代地或額外地包括比硅氧化物沉積子循環(huán)的數(shù)量更多的金屬氧化物沉積循環(huán)。
6、在一些這樣的示例中，該一個或更多分層膜沉積循環(huán)中的該分層膜沉積循環(huán)替代地或額外地包括相等數(shù)量的硅氧化物沉積循環(huán)和金屬氧化物子循環(huán)。
7、在一些這樣的示例中，蝕刻該分層膜的該一個或更多區(qū)域以形成該圖案化結(jié)構(gòu)替代地或額外地包括：蝕刻該分層膜的該一個或更多區(qū)域以形成用于自對準(zhǔn)圖案化處理的間隔件。
8、在一些這樣的示例中，形成該間隔件替代地或額外地包括在心軸上方形成該分層膜，以及在蝕刻該分層膜的該一個或更多區(qū)域后去除該心軸。
9、在一些這樣的示例中，該含金屬前體替代地或額外地包括鋁、鉬、鎢或鈦中的一者或更多者。
10、在一些這樣的示例中，該含金屬前體替代地或額外地包括鋁鹵化物、鋁烷氧化物、三甲基鋁、氫化鋁、羰基鋁、六氟化鎢、六氯化鎢、六羰基鎢、雙(叔丁基亞氨基)雙(二甲基氨基)鎢、雙(叔丁基亞氨基)雙(二甲基氨基)鉬、五氯化鉬、二氯二氧化鉬、四氯氧化鉬、六羰基鉬、四氯化鈦或異丙氧基鈦中的一者或更多者。
11、在一些這樣的示例中，形成該圖案化結(jié)構(gòu)替代地或額外地包括：形成含有落在90至200吉帕(gpa)范圍內(nèi)的模量的圖案化結(jié)構(gòu)。
12、在一些這樣的示例中，形成該圖案化結(jié)構(gòu)替代地或額外地包括形成含有落在10埃至100埃范圍內(nèi)的寬度的圖案化結(jié)構(gòu)。
13、在一些這樣的示例中，該圖案化結(jié)構(gòu)替代地或額外地包括垂直于該襯底表面的平面且落在30埃至500埃范圍內(nèi)的尺寸。
14、在一些這樣的示例中，該方法替代地或額外地包括使用包括含氟物質(zhì)的等離子體清潔而將金屬氧化物殘留物和硅氧化物殘留物從該處理室清除。
15、另一示例提供了一種處理工具，其包括：處理室；一個或更多氣體入口，其通向該處理室中。該處理工具還包括流動控制硬件，其被配置成控制通過該一個或更多氣體入口的氣體流動。該處理工具還包括控制器，其被配置成操作該處理工具以執(zhí)行一個或更多分層膜沉積循環(huán)。在該分層膜沉積循環(huán)的硅氧化物沉積子循環(huán)中，該控制器被配置成控制該流動控制硬件以將含硅前體引進(jìn)該處理室，以及控制該流動控制硬件以在該處理室中形成氧化條件。在該分層膜沉積循環(huán)的金屬氧化物沉積子循環(huán)中，該控制器被配置成控制該流動控制硬件以將含金屬前體引進(jìn)該處理室，以及控制該流動控制硬件以在該處理室中形成氧化條件，其中該含金屬前體包括鉬或鎢中的一者或更多者。
16、在一些這樣的示例中，該控制器替代地或額外地被配置成控制該處理工具以在該一個或更多分層膜沉積循環(huán)中的分層膜沉積循環(huán)中執(zhí)行比金屬氧化物沉積循環(huán)的數(shù)量更多的硅氧化物沉積子循環(huán)。
17、在一些這樣的示例中，該控制器替代地或額外地被配置成控制該處理工具以在該一個或更多分層膜沉積循環(huán)中的分層膜沉積循環(huán)中執(zhí)行比硅氧化物沉積子循環(huán)的數(shù)量更多的金屬氧化物沉積子循環(huán)。
18、在一些這樣的示例中，該控制器替代地或額外地被配置成控制該處理工具以執(zhí)行一個或更多分層膜沉積循環(huán)，從而生長出厚度介于10埃至100埃的分層膜。
19、另一示例提供了一種自對準(zhǔn)圖案化處理中的中間結(jié)構(gòu)，該中間結(jié)構(gòu)包括襯底；以及設(shè)置在該襯底上的含金屬氧化物和硅氧化物間隔件的圖案。
20、在一些這樣的示例中，該含金屬氧化物和硅氧化物間隔件的圖案的間隔件替代地或額外地包括范圍落在100埃至10埃內(nèi)的寬度。
21、在一些這樣的示例中，該金屬氧化物替代地或額外地包括鋁、鎢、鉬或鈦中的一者或更多者。
1.一種形成圖案化結(jié)構(gòu)的方法，所述方法包括：
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，執(zhí)行一個或更多分層膜沉積循環(huán)包括：執(zhí)行多個分層膜沉積循環(huán)。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述一個或更多分層膜沉積循環(huán)中的所述分層膜沉積循環(huán)包括比金屬氧化物沉積子循環(huán)的數(shù)量更多的硅氧化物沉積子循環(huán)。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其中，所述一個或更多分層膜沉積循環(huán)中的所述分層膜沉積循環(huán)包括比硅氧化物沉積子循環(huán)的數(shù)量更多的金屬氧化物沉積循環(huán)。
5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其中，所述一個或更多分層膜沉積循環(huán)中的所述分層膜沉積循環(huán)包括相等數(shù)量的硅氧化物沉積子循環(huán)和金屬氧化物沉積子循環(huán)。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，蝕刻所述分層膜的所述一個或更多區(qū)域以形成所述圖案化結(jié)構(gòu)包括：蝕刻所述分層膜的所述一個或更多區(qū)域以形成用于自對準(zhǔn)圖案化處理的間隔件。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法，其中，形成所述間隔件包括在心軸上方形成所述分層膜，以及在蝕刻所述分層膜的所述一個或更多區(qū)域后去除所述心軸。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述含金屬前體包括鋁、鉬、鎢或鈦中的一者或更多者。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述含金屬前體包括鋁鹵化物、鋁烷氧化物、三甲基鋁、氫化鋁、羰基鋁、六氟化鎢、六氯化鎢、六羰基鎢、雙(叔丁基亞氨基)雙(二甲基氨基)鎢、雙(叔丁基亞氨基)雙(二甲基氨基)鉬、五氯化鉬、二氯二氧化鉬、四氯氧化鉬、六羰基鉬、四氯化鈦或異丙氧基鈦中的一者或更多者。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，形成所述圖案化結(jié)構(gòu)包括：形成含有落在90至200吉帕(gpa)范圍內(nèi)的模量的圖案化結(jié)構(gòu)。
11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，形成所述圖案化結(jié)構(gòu)包括形成含有落在10埃至100埃范圍內(nèi)的寬度的圖案化結(jié)構(gòu)。
12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述圖案化結(jié)構(gòu)包括垂直于所述襯底表面的平面且落在30埃至500埃范圍內(nèi)的尺寸。
13.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其還包括使用包括含氟物質(zhì)的等離子體清潔而將金屬氧化物殘留物和硅氧化物殘留物從所述處理室清除。
14.一種處理工具，其包括：
15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的處理工具，其中，所述控制器被配置成控制所述處理工具以在所述一個或更多分層膜沉積循環(huán)中的分層膜沉積循環(huán)中執(zhí)行比金屬氧化物沉積循環(huán)的數(shù)量更多的硅氧化物沉積子循環(huán)。
16.根據(jù)權(quán)利要求14所述的處理工具，其中，所述控制器被配置成控制所述處理工具以在所述一個或更多分層膜沉積循環(huán)中的分層膜沉積循環(huán)中執(zhí)行比硅氧化物沉積子循環(huán)的數(shù)量更多的金屬氧化物沉積子循環(huán)。
17.根據(jù)權(quán)利要求14所述的處理工具，其中，所述控制器被配置成控制所述處理工具以執(zhí)行一個或更多分層膜沉積循環(huán)，從而生長出厚度介于10埃至100埃的分層膜。
18.一種自對準(zhǔn)圖案化處理中的中間結(jié)構(gòu)，所述中間結(jié)構(gòu)包括：
19.根據(jù)權(quán)利要求18所述的中間結(jié)構(gòu)，其中，所述含金屬氧化物和硅氧化物間隔件的圖案的間隔件包括范圍落在100埃至10埃內(nèi)的寬度。
20.根據(jù)權(quán)利要求18所述的中間結(jié)構(gòu)，其中所述金屬氧化物包括鋁、鎢、鉬或鈦中的一者或更多者。