本公開涉及分層半導體器件，并且在一些非限制性示例中涉及具有多個子像素發(fā)射區(qū)域的分層光電子器件，每個子像素包括由半導體層分開的第一電極和第二電極，其中這些電極、至少一種顆粒結構、電耦接到這些電極的導電涂層以及透射區(qū)域中的至少一者可以通過沉積圖案化涂層來圖案化，該圖案化涂層可以充當和可以是成核抑制涂層中的至少一者。

背景技術：

1、在諸如有機發(fā)光二極管(oled)的光電子器件中，包括發(fā)射層的至少一個半導電層可設置在一對電極(諸如陽極和陰極)之間。陽極和陰極可與電源電耦接，并且分別產生空穴和電子，這些空穴和電子通過該至少一個半導電層朝向彼此遷移。當一對空穴和電子結合時，可發(fā)射光子形式的em輻射。

2、oled顯示面板(諸如有源矩陣oled(amoled)面板)可包括多個像素，每個像素還包括多個(包括但不限于三個和四個中的一者)子像素。在一些非限制性示例中，像素的各種子像素的特征可在于以下中的至少一者：三種和四種不同顏色(包括但不限于r(紅色)、g(綠色)和b(藍色))中。每個(子)像素可具有相關聯的發(fā)射區(qū)域，該發(fā)射區(qū)域包括相關聯的一對電極和在這些電極之間的至少一個半導電層的堆疊。在一些非限制性示例中，像素的每個子像素可發(fā)射em輻射，包括但不限于光子，其具有由給定顏色(包括但不限于r(紅色)、g(綠色)、b(藍色)和w(白色)中的一者)表征的相關聯的波長光譜。在一些非限制性示例中，(子)像素可由驅動電路選擇性地驅動，該驅動電路在基板內包括與導電金屬線電耦接的至少一個薄膜晶體管(tft)結構，在一些非限制性示例中，電極和至少一個半導電層沉積在該基板上。在一些非限制性示例中，此類面板的各種涂層(層)可由基于真空的沉積工藝形成。

3、在amoled面板中，當在子像素的陽極和陰極之間施加電壓時，子像素可發(fā)射em輻射。通過控制施加在陽極和陰極之間的電壓，可控制來自此類面板的每個子像素的em輻射的發(fā)射。在跨多個子像素設置公共陰極的情況下，可以通過調制陽極的電壓來控制跨每個子像素中的陽極和陰極的電壓。在一些非限制性示例中，相鄰陽極可在側向朝向上間隔開，并且可在它們之間提供至少一個非發(fā)射區(qū)域。

4、在一些應用中，可能存在這樣的目標：在oled制造工藝期間，通過將導電沉積材料的封閉涂層選擇性地沉積以形成器件特征，諸如但不限于電極和與其電耦接的導電元件中的至少一者，在面板的側向朝向的和剖面朝向中的至少一者上為面板的每個(子)像素提供一定圖案的導電沉積層。

5、在一些非限制性應用中，這樣做的一種方法涉及在電極材料和電耦接到其的導電元件中的至少一者的沉積期間插入精細金屬掩模(fmm)。然而，通常用作電極的材料具有顯著高的蒸發(fā)溫度，這會影響重復使用fmm的能力和/或可實現的圖案的準確性中的至少一者，還伴隨成本、努力和復雜性的增加。

6、在一些非限制性示例中，這樣做的一種方法涉及將電極材料沉積然后去除(包括通過激光鉆孔工藝)其中不需要的區(qū)域以形成圖案。然而，去除過程通常涉及碎屑的產生和/或存在中的至少一者，這可能影響該制造過程的產量。

7、此外，此類方法在一些應用和/或具有某些形貌特征的一些設備中的至少一者的適用性可能會降低。

技術實現思路

1、本公開的目的是消除或減輕現有技術的至少一個缺點。

2、本公開公開了包含化合物的分層半導體器件。該化合物包含金剛烷部分和至少一個與其結合的低表面張力部分。

3、根據廣泛的方面，公開了一種包括化合物的分層半導體器件，該化合物包括金剛烷部分和至少一個與其結合的低表面張力部分。

4、在一些非限制性示例中，低表面張力部分的臨界表面張力可為不超過約25達因/厘米、21達因/厘米、20達因/厘米、19達因/厘米、18達因/厘米、17達因/厘米、16達因/厘米、15達因/厘米、14達因/厘米、13達因/厘米、12達因/厘米、11達因/厘米和10達因/厘米中的一者。

5、在一些非限制性示例中，低表面張力部分可以如下方式中的至少一者與金剛烷部分的原子鍵合：直接和經由連接基部分。

6、在一些非限制性示例中，連接基部分可包括以下中的至少一者：取代的亞烷基、未取代的亞烷基、取代的胺、未取代的胺、取代的氟代亞烷基、未取代的氟代亞烷基、碳(c)、亞甲基、亞乙基、chf、二氟卡賓、氮(n)、nh、硫(s)、氧(o)、醚、取代的亞環(huán)烷基、未取代的亞環(huán)烷基和烴芳族部分。

7、在一些非限制性示例中，連接基部分可包括以下中的至少一者：取代的亞芳基、未取代的亞芳基、取代的亞雜芳基部分、未取代的亞雜芳基部分、取代的氟代亞芳基部分和未取代的氟代亞芳基部分。

8、在一些非限制性示例中，低表面張力部分可包括含氟(f)部分。

9、在一些非限制性示例中，低表面張力部分可包括以下中的至少一者：f、取代的氟代烷基、未取代的氟代烷基、取代的氟代烷氧基、未取代的氟代烷氧基、取代的氟代烷基甲硅烷氧基、未取代的氟代烷基甲硅烷氧基、取代的氟代環(huán)烷基、未取代的氟代環(huán)烷基、取代的氟代芳基和未取代的氟代芳基。

10、在一些非限制性示例中，低表面張力部分可包括cf2基團、cf2h基團、cf3基團和ch2cf3基團中的至少一者。

11、在一些非限制性示例中，低表面張力部分可包括含硅(si)部分。

12、在一些非限制性示例中，低表面張力部分可包括含硅氧烷基團。

13、在一些非限制性示例中，低表面張力部分可包括末端部分和連接基部分，并且低表面張力部分的分子結構可由式(ad-2)表示：

14、

15、其中：

16、l可表示連接基部分，

17、t可表示末端部分，

18、x可是與末端部分t的數目對應的整數，并且

19、*可表示與低表面張力部分附接的金剛烷部分的鍵合位點。

20、在一些非限制性示例中，x可為約1-3之間的整數。

21、在一些非限制性示例中，低表面張力部分可包括芳族部分、末端部分和連接基部分，并且低表面張力部分的分子結構可由式(ad-3)表示：

22、

23、其中：

24、l可表示連接基部分，

25、t可表示末端部分，

26、ar可表示芳族部分，

27、x可是與末端部分t的數目對應的整數，

28、y可是與芳族部分ar的數目對應的整數，并且

29、*可表示與低表面張力部分附接的金剛烷部分的鍵合位點。

30、在一些非限制性示例中，x可是約1-5之間的整數，并且y可是約1-3之間的整數。

31、在一些非限制性示例中，低表面張力部分可包括芳族部分、含f部分和連接基部分，并且低表面張力部分的分子結構可由式(ad-4)表示：

32、

33、其中：

34、l可表示連接基部分，

35、rf可表示含f部分，

36、x可是與含f部分rf的數目對應的整數，，

37、ar可表示芳族部分，

38、y可是與芳族部分的數目對應的整數，并且

39、*可表示與低表面張力部分附接的金剛烷部分的鍵合位點。

40、在一些非限制性示例中，x可是約1-5之間的整數，并且y可是約1-3之間的整數。

41、在一些非限制性示例中，低表面張力部分可包括苯基部分、末端部分和連接基部分，并且低表面張力部分的分子結構可由式(ad-5)表示：

42、

43、其中：

44、l可表示連接基部分，

45、t可表示末端部分，

46、x可是與末端部分t的數目對應的整數，

47、ph可表示苯基部分，并且

48、*可表示與低表面張力部分附接的金剛烷部分的鍵合位點。

49、在一些非限制性示例中，x可為約1-5之間的整數。

50、在一些非限制性示例中，低表面張力部分可包括苯基部分、含f部分和連接基部分，并且低表面張力部分的分子結構可由式(ad-6)表示：

51、

52、其中：

53、l可表示連接基部分，

54、rf可表示含f部分，

55、x可是與含f部分rf的數目對應的整數，

56、ph可表示苯基部分，并且

57、*可表示與低表面張力部分附接的金剛烷部分的鍵合位點。

58、在一些非限制性示例中，x可為約1-5之間的整數。

59、在一些非限制性示例中，氟代烷氧基部分的分子結構可由式(ad-7)表示：

60、*-oa-(ch2)b(cf2)c-m(ad-7)

61、其中：

62、m可表示h、d和f原子中的一者，

63、a可是與o原子的數目對應的整數，

64、b可是與ch2單元的數目對應的整數，

65、c可表示與cf2單元的數目對應的整數，并且

66、*可表示與氟代烷氧基部分附接的苯基部分的鍵合位點。

67、在一些非限制性示例中，a可是1，b可是約1-4之間的整數，并且c可是約1-12之間的整數。

68、在一些非限制性示例中，化合物的分子量為至少約500g/mol、550g/mol、580g/mol、650g/mol、750g/mol、1,000g/mol、1,200g/mol、1,300g/mol、1,500g/mol、1,700g/mol、2,000g/mol、2,200g/mol和2,500g/mol中的一者。

69、在一些非限制性示例中，器件還可包括包含化合物的圖案化涂層，該圖案化涂層設置在其側向朝向的第一部分中的下面層的第一層表面上；以及沉積在第二部分上的由沉積材料組成的沉積層；其中所述第一部分基本上沒有所述沉積材料的封閉涂層。

70、在一些非限制性示例中，器件可進一步包括發(fā)射區(qū)域，該發(fā)射區(qū)域包括：第一電極和第二電極，以及設置在第一電極和第二電極之間的至少一個半導體層。

71、在一些非限制性示例中，第一部分可不包括發(fā)射區(qū)域的側向朝向。

72、在一些非限制性示例中，第二電極可包括沉積層的至少一部分作為其層。

73、在一些非限制性示例中，第一部分可包括發(fā)射區(qū)域的側向朝向。

74、在一些非限制性示例中，器件可進一步包括輔助電極，該輔助電極包括沉積層作為其層。